根据TrendForce的调查报告显示，AI浪潮对DRAM内存和NAND闪存市场带来明显影响。在本站5月7日消息中，TrendForce集邦咨询在今日的最新研报中称该机构调升本季度两类存储产品的合约价格涨幅。
具体而言，TrendForce 原先预估 2024 年二季度 DRAM 内存合约价上涨 3~8%，现估计为 13~18%；
而在 NAND 闪存方面，原预估上涨 13~18%，新预估为 15~20%，仅 eMMC / UFS 涨幅较低，为 10%。
▲ 图源 TrendForce 集邦咨询 TrendForce 表示，该机构原预计在连续两三个季度的涨价后，DRAM 内存、NAND 闪存需求方接受大幅涨价的意愿不强。
但来到四月下旬，存储业者完成台湾地区地震后首轮合约价议价，涨幅相较预期扩大。究其原因，除买方意欲支撑手中库存价格外，影响更大的是 AI 热潮对存储业供需双方带来了心理上的转变。
在 DRAM 市场方面，存储原厂担忧 HBM 内存产能的放量将进一步排挤传统内存的供给：
根据本网站早前报道，美光表示HBM3E内存的晶圆量消耗3倍于传统DDR5内存；研报中称，到2024年底三星电子1αnm制程整体DRAM产能的约六成将由HBM3E内存占用。
需求方在评估后，转而考虑在二季度提前为 DRAM 内存进行备货，应对三季度起 HBM 内存产量提升带来的供应紧张局势。
而在 NAND 闪存产品上，节能成为 AI 推理服务器的优先考量，北美云服务业者扩大对 QLC 企业级固态硬盘的采用。闪存产品库存加速下降，在此背景下部分供应方出现了惜售心态。
不过研报中也提到，受限于消费级产品需求复苏情况尚不明朗，存储原厂对非 HBM 内存产能的资本支出仍趋于保守，尤其是仍处于损益平衡点的 DRAM 闪存。
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