三星官方消息显示，面向高性能计算（HPC）的HBM内存有了新的进展。9.8Gbps的HBM3E产品已开始向客户提供样品，而HBM4内存预计将于2025年推出

尽管目前还没有关于HBM4的正式规范，但台积电在2023 OIP论坛上透露了一些正在制定中的标准。台积电表示，未来HBM4内存的接口位宽将翻倍，达到2048位

值得一提的是，出于多种技术原因，他们还希望在不增加 HBM 内存堆栈占用空间的情况下实现这一目标，这也将会使得下一代 HBM 内存的互连密度翻倍，而无需进一步提高时钟速度。

根据计划，这将使得HBM4在多个技术层面上实现重大突破

在 DRAM 堆叠方面，一个 2048bit 的内存接口需要大幅增加硅通孔的数量。同时，外部芯片接口将需要将凸块间距缩小到 55 微米以下，同时大幅增加微凸块数目（本站注：HBM3 目前大约 3982 个微凸块）。

此外，HBM4 将采用 16-Hi 堆叠模式，即在一个模块中堆叠16个内存芯片，从而增加了技术复杂性（尽管从技术角度来看，HBM3 也支持16-Hi 堆叠，但迄今为止还没有制造商实际采用这种方式）

所有这些新指标反过来都需要芯片制造商、内存制造商和芯片封装公司之间采取更加紧密的合作方式，以确保一切顺利地进行。

在台积电于阿姆斯特丹举行的 TSMC OIP 2023 会议上，台积电设计基础设施管理负责人丹・科赫帕恰林（Dan Kochpatcharin）表示：“因为他们没有将速度加倍，而是将 [接口] 引脚 [与 HBM4 一起] 加倍。这就是为什么我们正在努力确保我们与所有三个合作伙伴合作，使他们的 HBM4 [可以通过我们的先进封装] 合格，并确保 RDL 或中介器或两者之间的任何内容都可以支持 HBM4 的布局和速度。所以，我们正在与三星、SK 海力士和美光保持合作。”

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